近期碳化矽(SiC)及其在电力电子领域的潜在应用受到了广泛关注， 但同时也引发了一些误解。围绕SiC产生的一些疑虑与其应用范围相关， 例如一些设计人员认为SiC MOSFET应该用来替代IGBT，而矽MOSFET的替代品应该是氮化镓(GaN)元件。然而，额定电压为650V的SiC…
近期碳化矽(SiC)及其在电力电子领域的潜在应用受到了广泛关注， 但同时也引发了一些误解。围绕SiC产生的一些疑虑与其应用范围相关， 例如一些设计人员认为SiC MOSFET应该用来替代IGBT，而矽MOSFET的替代品应该是氮化镓(GaN)元件。然而，额定电压为650V的SiC…
